使用热瞬态测试和仿真来提高电子设备的可靠性

在过去十年中，高功率硅和碳化硅功率场效应晶体管 (MOSFET) 和硅绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 已成为功率转换系统的关键组成部分。随着它们推动多个行业的电气化，对更高功率运行、更高效率以及在大多数情况下可预测的高可靠性的需求越来越大。由于温度是实现可靠运行的关键因素，因此新材料和改进的封装设计得以开发。双面冷却功率模块就是其中之一。

在本次网络研讨会中，您将了解三个 T（热瞬态测试）以及表征功率模块的结温和热传导路径的重要性。您还将学习如何正确测试和模拟复杂功率半导体封装类型的热性能。如果知晓如何校准热仿真模型，则可以更好地了解基于测试的数据的用法。

如果您从事功率半导体设计、封装、可靠性或质量方面的工作，或者在汽车、航空航天或重型装备电气化等应用领域使用这些器件，本演示文稿将提供有价值的见解，以应对双面冷却功率模块表征带来的挑战。

要点总结

• 了解如何正确测试和仿真复杂功率半导体封装类型的热性能。
• 了解如何分析存在两种不同热流路径时的热结构。
• 探索使用基于测试的数据来准确校准热仿真模型。
• 了解如何使用这些模型进行系统级仿真。