Использование в силовых полупроводниковых приборов из карбида кремния в силовых энергетических модулях дает ряд преимуществ, например, маленький размер сборки, высокая эффективность при низких коммутационных потерях и улучшенные тепловые характеристики (снижение требований к системе охлаждения). Это очень важные преимущества для силовой электроники электрических и гибридных автомобилей, кроме того, они ценятся в аэрокосмической, энергетической и других отраслях.
Этот вебинар рассказывает о применении технологии измерения переходной тепловой характеристики с помощью Simcenter T3STER для получения тепловых характеристик устройств из карбида кремния с целью точного определения тепловых показателей путем повышения точности численного моделирования тепловых процессов, тестирования на надежность и оценки качества.
На вебинаре будут представлены различные конфигурации регулирования тепловых режимов и интерпретация измеренных функций теплового сопротивления, которые представляют течение тепловых потоков от кристалла в окружающую среду в сборке транзистора. Мы обсудим как прямые тепловые измерения на МОП-транзисторах из карбида кремния, так и метод, основанный на использовании виртуального датчика, сочетающий в себе измерения и тепловой анализ, для более сложных типов устройств из карбида кремния. Кроме того, на вебинаре будет представлен обзор методов тестирования на основе переключения мощности для выявления отказов, связанных с перегревом. Это методы применяются для исследования надежности изделия и прогнозирования срока службы.
Темы: