열 천이 테스트 및 시뮬레이션을 사용하여 전자 장치의 신뢰성 개선

지난 10년 동안 고전력 Si 및 SiC MOSFET과 Si IGBT는 전력 변환 시스템의 핵심 구성 요소가 되었습니다. 이러한 구성 요소가 여러 산업 분야에서 전기화를 주도함에 따라 더 높은 전력 운영, 더 나은 효율성, 대부분의 경우 예측 가능한 높은 신뢰성에 대한 요구가 증가하고 있습니다. 온도는 안정적인 작동을 실행하기 위한 핵심 요소이기 때문에 이에 맞는 새로운 재료와 개선된 패키지 설계가 개발되고 있습니다. 양면 냉각 전원 모듈이 그 중 하나입니다.

본 웨비나에서는 열 천이 테스트와 전력 모듈의 접합 온도 및 열전도 경로를 특성화해야 하는 이유에 대해 알아봅니다. 또한 복잡한 전력 반도체 패키지 유형의 열 성능을 적절하게 테스트 및 시뮬레이션하는 방법도 함께 알아봅니다. 열 시뮬레이션 모델을 교정하는 방법을 알고 있으면 테스트 기반 데이터를 더 효과적으로 사용할 수 있습니다.

전력 반도체 설계, 패키징, 신뢰성 또는 품질 분야에서 일하거나 자동차, 항공 우주 또는 중장비 전기화와 같은 응용 분야에서 이러한 장치를 사용하는 경우 본 프레젠테이션은 양면 냉각 전력 모듈 특성화로 인한 문제를 해결하는 데 귀중한 인사이트를 제공합니다.

주요 사항

• 복잡한 전력 반도체 패키지 유형의 열 성능을 적절하게 테스트 및 시뮬레이션하는 방법
• 두 개의 서로 다른 열 흐름 경로가 있을 때 열 구조를 분석하는 방법
• 테스트 기반 데이터를 사용하여 열 시뮬레이션 모델을 정확하게 교정하는 방법
• 시스템 수준 시뮬레이션을 위해 이러한 모델을 사용하는 방법