熱過渡試験とシミュレーションを使用して電子機器の信頼性を向上

ハイパワーSi/SiC MOSFETとSi IGBTは、過去10年間に電力変換システムの重要な構成要素となりました。これにより複数の業界で電動化が進み、さらなるハイパワー・オペレーション、効率化、予測可能かつ高い信頼性へのニーズが高まっています。信頼性の高いオペレーションを実現するには、温度が重要な要素となるため、新しい材料や改良されたパッケージ設計が開発されています。両面冷却パワー・モジュールもその1つです。

このウェビナーでは、3つのT (Thermal Transient Testing: 熱過渡試験) と、パワー・モジュールのジャンクション温度および熱伝導経路の特性評価が不可欠である理由について説明しています。また、複雑なパワー半導体のパッケージ・タイプの熱性能を正しく テスト、シミュレーションする方法も紹介しています。熱シミュレーション・モデルのキャリブレーション方法を知っていれば、テストベースのデータの使用をより深く理解できます。

このプレゼンテーションでは、パワー半導体の設計、パッケージング、信頼性、品質に携わる方や、自動車、航空宇宙、重機の電動化などのアプリケーション分野でこれらのデバイスを使用している方に、両面冷却パワー・モジュールの特性評価の課題に対応するための貴重な知見を提供しています。

概要

• 複雑なパワー半導体パッケージ・タイプの熱性能を正しくテスト、シミュレーションする方法を学びます。
• 2つの異なる熱流路がある熱構造を解析する方法をご覧ください。
• テストベースのデータを使用して熱シミュレーション・モデルを正しくキャリブレーションする方法を探索します。
• このモデルをシステムレベルのシミュレーションに使用する方法も紹介します。