Nutzen Sie thermische transiente Tests und Simulationen, um die Zuverlässigkeit der Elektronik zu erhöhen

Leistungsstarke Si- und SiC-MOSFETs und Si-IGBTs haben sich in den letzten zehn Jahren zu den wichtigsten Bausteinen von Energieumwandlungssystemen entwickelt. Da sie die Elektrifizierung in zahlreichen Branchen vorantreiben, besteht ein erhöhter Bedarf an höherer Leistung, besserer Effizienz und in den meisten Fällen an hoher und zuverlässiger Leistung. Angesichts der Tatsache, dass die Temperatur der Schlüsselfaktor für einen zuverlässigen Betrieb ist, werden neue Materialien und verbesserte Gehäuseformen entwickelt. Die beidseitig gekühlten Leistungsmodule zählen dazu.

In diesem Webinar lernen Sie die drei Ts (Thermal Transient Testing) kennen und erfahren, warum es wichtig ist, die Sperrschichttemperatur und den Wärmeleitpfad von Leistungsmodulen zu erfassen. Außerdem erfahren Sie, wie sich die thermische Leistung komplexer Leistungshalbleitergehäusetypen richtig testen und simulieren lässt. Wenn Sie wissen, wie man thermische Simulationsmodelle kalibriert, werden Sie die Anwendung von testbasierten Daten besser verstehen.

Wenn Sie in den Bereichen Entwicklung, Fertigung, Zuverlässigkeit oder Qualität von Halbleitern arbeiten oder diese Bauelemente in Anwendungsbereichen wie der Automobilbranche, der Luft- und Raumfahrt oder der Elektrifizierung von Schwermaschinen einsetzen, bietet Ihnen dieser Überblick wertvolle Erkenntnisse zur Bewältigung der Herausforderungen, welche die beidseitig gekühlten Leistungsmodule mit sich bringen.

Wichtige Punkte

• Erfahren Sie, wie Sie die thermische Leistung komplexer Leistungshalbleitergehäusetypen richtig testen und simulieren.
• Erfahren Sie, wie Sie die thermische Struktur untersuchen können, wenn es zwei verschiedene Wärmeflusspfade gibt.
• Prüfen Sie die Anwendung von testbasierten Daten zur genauen Kalibrierung von thermischen Simulationsmodellen.
• Erfahren Sie, wie Sie diese Modelle für Simulationen auf Systemebene nutzen können.