Zlepšení tepelného návrhu výkonové elektroniky a její spolehlivosti díky testování a simulacím

Při návrhu spolehlivých modulů výkonové elektroniky pro různá použití, například elektrifikaci vozidel, návrh vlaků, letadel a transformátorů, je během vývoje nutné pečlivě vyhodnocovat řízení teploty komponent i celých funkčních celků. Tato prezentace popisuje metody kombinování více teplotních měření výkonových IGBT polovodičů v modulu napájení a kalibrace podrobných tepelných modelů, díky čemuž lze zlepšit přesnost simulačních studií chlazení elektroniky na úrovni modulů.

Prezentovaný přístup využívá testovací technologii Simcenter T3STER k analýze přenosových drah tepla obalu výkonového polovodiče společně s automatickou kalibrací podrobného modelu pouzdra a následnými tepelnými simulacemi na úrovni systémů pomocí Simcenteru Flotherm nebo Simcenteru FLOEFD.

Tato prezentace také stručně popisuje strategie testování tepelné spolehlivosti s využitím nabíjecích cyklů a diagnostiky selhání pomocí metod pro testování přechodových tepelných jevů (pomocí Simcenteru POWERTESTER).

Přednášející: Andras Vass-Varnai